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定制 1 2 3 4 6 8英寸二氧化硅片 氧化硅片 SiO2 热氧化工艺厚度可定制科研级别

氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。

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    广东 深圳 龙岗区 深圳市龙岗区坂田街道荣兴大厦
是否进口:否加工定制:是品牌:瑞格锐思
型号:氧化硅片订货号:氧化硅片货号:氧化硅片

定制 1 2 3 4 6 8英寸二氧化硅片 氧化硅片 SiO2 热氧化工艺厚度可定制科研级别详细介绍

热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层,它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中,热氧化层都扮演着非常重要的角色,以保护硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。

 产品规格:

1英寸二氧化硅片(300nm)

2英寸二氧化硅片(300nm)

3英寸二氧化硅片(300nm)

4英寸二氧化硅片(300nm)

6英寸二氧化硅片(300nm)

8英寸二氧化硅片(300nm)

其他定制规格

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