| 是否进口：否 | 加工定制：否 | 品牌：瑞格锐思 |
| 型号：氧化硅片 | 订货号：氧化硅片 | 货号：氧化硅片 |
产品规格：
单面抛光单面氧化20nm
单面抛光双面氧化50nm
单面抛光单面氧化100nm
单面抛光双面氧化100nm
单面抛光单面氧化200nm
单面抛光双面氧化200nm
单面抛光单面氧化300nm
单面抛光双面氧化300nm
单面抛光单面氧化500nm
单面抛光双面氧化500nm
单面抛光单面氧化1000nm
单面抛光双面氧化1000nm
单面抛光单面氧化2000nm
单面抛光双面氧化2000nm
区熔本征单面抛光双面氧化90nm
区熔本征单面抛光双面氧化300nm
定制硅片请联系客户专拍
我们有很多规格，每种规格价格不一样，具体需要联系我们客服，我们将竭诚为您服务！
生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺
直径与工差：100±0.4mm
掺杂类型：N型（掺磷 ， 砷 ， 锑） P型（掺硼）
晶向：<111>\<100>
电阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客户要求定制
工艺数据：平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、 弯曲度BOW<10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10 (for size > 0.3μm)
用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试 基底、分子束外延生长的基底、X射线分 析晶体半导体
